MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1E050RPHZGTR, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 264-430P
- Nº ref. fabric.:
- RQ1E050RPHZGTR
- Fabricante:
- ROHM
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|---|---|
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| 250 - 475 | 0,338 € |
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- Código RS:
- 264-430P
- Nº ref. fabric.:
- RQ1E050RPHZGTR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Serie | RQ1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Serie RQ1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de pequeña señal de ROHM para aplicaciones de conmutación y es un producto de alta fiabilidad de grado automotriz calificado según AEC-Q101.
Baja resistencia
Diodo de protección G-S integrado
Encapsulado pequeño de montaje en superficie TSMT8
Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS