MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, HSMT-8 de 8 pines

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Código RS:
264-477P
Nº ref. fabric.:
RQ3L070BGTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

HSMT-8

Serie

RQ3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

15W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM 60V 20A ofrece una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace ideal para la conmutación del lado primario, accionamientos de motores y convertidores CC-CC.

Baja resistencia

Envase pequeño de montaje en superficie

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

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