MOSFET ROHM, N-Canal, VDSS 100 V, HUML2020L8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-564P
- Nº ref. fabric.:
- UT6KE5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*
28,00 €
(exc. IVA)
34,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2725 unidad(es) más para enviar a partir del 14 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 100 - 225 | 0,28 € |
| 250 - 475 | 0,259 € |
| 500 - 975 | 0,238 € |
| 1000 + | 0,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-564P
- Nº ref. fabric.:
- UT6KE5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HUML2020L8 | |
| Serie | UT6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 207mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HUML2020L8 | ||
Serie UT6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 207mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de doble canal N de 100 V y 2,0 A de ROHM en un encapsulado DFN2020-8D presenta una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y convertidores CC/CC. Integra dos MOSFET de 100 V en un diseño compacto de montaje superficial.
Baja resistencia
Envase pequeño de montaje en superficie
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos