MOSFET, Tipo N-Canal ROHM BSS670AHZGT116, VDSS 60 V, Mejora, SST-3 de 3 pines

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Código RS:
264-577
Nº ref. fabric.:
BSS670AHZGT116
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

BSS

Encapsulado

SST-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.68Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

350mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de pequeña señal ROHM para automoción de canal N con MOSFET de 60 V y 650 mA y diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SST3. Este producto es ideal para circuitos de conmutación e interruptor de carga de lado bajo, aplicaciones de controlador de relé. Se trata de un producto de alta fiabilidad de grado de automoción con certificación AEC-Q101.

Conmutación muy rápida

Accionamiento de muy baja tensión Accionamiento de 2,5 V

Protección ESD hasta 2kV HBM

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

Calificación AEC-Q101

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