MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 750 V, ID 51 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 264-586P
- Nº ref. fabric.:
- SCT4026DWATL
- Fabricante:
- ROHM
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- 264-586P
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- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 750V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SCT4026 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 26mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 3.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 21V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 750V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SCT4026 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 26mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 3.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 21V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de zanja de carburo de silicio SiC de 750 V y 51 A de ROHM en un encapsulado SMD de 7 patillas ofrece una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación.
Baja resistencia
Rápida velocidad de conmutación
Rápida recuperación inversa
Fácil de poner en paralelo
Fácil de conducir
Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS
Amplia distancia de fluencia igual a min. 4,7 mm