MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 1200 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
264-592P
Nº ref. fabric.:
SCT4062KWATL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-263

Serie

SCT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

124mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

3.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

21V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Disipación de potencia máxima Pd

93W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de zanja de carburo de silicio SiC de 1200 V y 24 A de ROHM en un encapsulado SMD de 7 patillas ofrece una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad de conmutación.

Baja resistencia

Rápida velocidad de conmutación

Rápida recuperación inversa

Fácil de poner en paralelo

Fácil de conducir

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Amplia distancia de fluencia igual a min. 4,7 mm

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