MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HP8KC7TB1, VDSS 60 V, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-758
Nº ref. fabric.:
HP8KC7TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

HP8

Encapsulado

HSOP-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

26W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.0nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Halogen Free

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El ROHM 60V 24A Dual Nch+Nch es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación.

Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

Sin halógenos

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