MOSFET ROHM, N-Canal, VDSS 100 V, ID 17 A, HSOP-8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-871P
- Nº ref. fabric.:
- HP8KE6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 50 unidades (suministrado en una tira continua)*
95,50 €
(exc. IVA)
115,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 40 unidad(es) más para enviar a partir del 14 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,91 € |
| 100 - 495 | 1,768 € |
| 500 - 995 | 1,632 € |
| 1000 + | 1,57 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-871P
- Nº ref. fabric.:
- HP8KE6TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HP8K | |
| Encapsulado | HSOP-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 54mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 21W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HP8K | ||
Encapsulado HSOP-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 54mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 21W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM presenta una configuración de doble canal N con una tensión nominal de 100 V y una capacidad de corriente de 17 A. Diseñado en un encapsulado HSOP8 y ofrece una baja resistencia a la conexión.
Baja resistencia
Encapsulado de montaje superficial pequeño (HSOP8)
Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos