MOSFET ROHM, N-Canal RJ1P07CBHTL1, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-263AB, Mejora de 3 pines, 1

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Código RS:
264-884P
Nº ref. fabric.:
RJ1P07CBHTL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263AB

Serie

RJ1

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73.0nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

135W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

1

El MOSFET de potencia ROHM Nch 100V 120A TO-263AB con baja resistencia a la conexión y alta potencia en encapsulado de molde pequeño, adecuado para conmutación.

Baja resistencia de conexión

Encapsulado de molde pequeño de alta potencia (TO263AB)

Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS

100% probado por la UIS

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