MOSFET, N-Canal ROHM SCT4062KWAHRTL, VDSS 1.2 kV, ID 24 A, Mejora, TO-263-7LA de 7 pines

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264-886P
Nº ref. fabric.:
SCT4062KWAHRTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

TO-263-7LA

Serie

SCT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

81mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

93W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

21V

Tensión directa Vf

3.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ROHM se caracteriza por una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia en ON y una rápida velocidad de conmutación.

Cualificado según AEC-Q101

Baja resistencia

Rápida velocidad de conmutación

Rápida recuperación inversa

Fácil de poner en paralelo

Fácil de conducir

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

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