MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RH6E040BGTB1, VDSS 30 V, ID 125 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 1

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*

81,20 €

(exc. IVA)

98,30 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 90 unidad(es) más para enviar a partir del 31 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
100 - 2400,812 €
250 - 4900,752 €
500 - 9900,694 €
1000 +0,667 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
265-310P
Nº ref. fabric.:
RH6E040BGTB1
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

125A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

HSMT-8

Serie

R65

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30.0nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Número de elementos por chip

1

El MOSFET de potencia ROHM dispone de una resistencia de encendido baja y está alojado en un encapsulado compacto de molde de alta potencia. Es muy adecuado para una gran variedad de aplicaciones, incluidos conmutación, accionamientos de motores y convertidores dc/dc, lo que proporciona un rendimiento eficiente en entornos de espacio limitado.

Revestimiento sin Pb

Conforme a RoHS

Encapsulado moldeado pequeño de alta potencia

Baja resistencia de conexión

100% Rg y UIS probado

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.