MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 198 A, Mejora, TCPAK57 de 10 pines
- Código RS:
- 277-047P
- Nº ref. fabric.:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 95 | 2,668 € |
| 100 - 495 | 2,47 € |
| 500 - 995 | 2,276 € |
| 1000 + | 2,186 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 277-047P
- Nº ref. fabric.:
- NTMJST1D4N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 198A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TCPAK57 | |
| Serie | NTM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.49mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 116W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 92.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Anchura | 7.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 198A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TCPAK57 | ||
Serie NTM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.49mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 116W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 92.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Anchura 7.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El MOSFET de ON Semiconductor es un transistor de potencia de un solo canal N con un valor nominal de 60 V, una resistencia de activación de 1,49 mΩ y una capacidad de corriente de 198 A. Su compacto encapsulado TCPAK57 de 5x7 mm garantiza un rendimiento térmico eficiente, por lo que resulta ideal para aplicaciones de gestión de potencia, control de motores y conversión CC-CC.
Embalaje top cool optimizado para disipar el calor por la parte superior
Dimensiones reducidas para diseños compactos
RDS(on) ultrabajo para mejorar la eficiencia del sistema
El dispositivo no contiene Pb y cumple la directiva RoHS