MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDMS8333LN, VDSS 40 V, ID 76 A, Mejora, Potencia 56 de 56 pines
- Código RS:
- 277-063
- Nº ref. fabric.:
- FDMS8333LN
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 277-063
- Nº ref. fabric.:
- FDMS8333LN
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 76A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | Potencia 56 | |
| Serie | NXH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 56 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 76A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado Potencia 56 | ||
Serie NXH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 56 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
El MOSFET de canal N de ON Semiconductor se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia global y minimizar el anillamiento del nodo de conmutación de los convertidores CC/CC que utilizan controladores PWM de conmutación síncrona o convencional. Se ha optimizado para una baja carga de puerta, baja RDS(ON), rápida velocidad de conmutación y rendimiento de recuperación inversa de cuerpo y diodo de cuerpo.
100% probado por UIL
Diseño de envase robusto MSL 1
Conforme con RoHS
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