MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF80N1K1K6, VDSS 800 V, ID 5 A, TO-220FP de 3 pines
- Código RS:
- 330-450
- Nº ref. fabric.:
- STF80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,279 € | 63,95 € |
| 500 - 950 | 1,215 € | 60,75 € |
| 1000 + | 1,126 € | 56,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 330-450
- Nº ref. fabric.:
- STF80N1K1K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | STF | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 21W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Altura | 9.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie STF | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 21W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Altura 9.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
El MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje de STMicroelectronics está diseñado utilizando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia de STMicroelectronics en tecnología de superunión. El resultado es la mejor resistencia de conexión de su clase por área y carga de puerta para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Carga de puerta ultrabaja
Protección Zener