MOSFET, Doble N-Canal ROHM HP8KB5TB1, VDSS 40 V, ID 16.5 A, Mejora, HSOP-8 de 8 pines

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Código RS:
331-683
Nº ref. fabric.:
HP8KB5TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HP8KB5

Encapsulado

HSOP-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

46mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

20W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación y accionamientos de motores. Este MOSFET de potencia se presenta en un pequeño encapsulado de montaje superficial.

Revestimiento sin Pb

Conforme a RoHS

Sin halógenos

100% Rg y UIS probado

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