MOSFET, Tipo N-Canal ROHM BM2P139T1F-E2, VDSS 650 V, ID 4 A, Mejora, SOP-8 de 8 pines
- Código RS:
- 331-721
- Nº ref. fabric.:
- BM2P139T1F-E2
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 331-721
- Nº ref. fabric.:
- BM2P139T1F-E2
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | SOP-8 | |
| Serie | BM2P | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.56W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 105°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.71mm | |
| Anchura | 6.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado SOP-8 | ||
Serie BM2P | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.56W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 105°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.71mm | ||
Anchura 6.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El CI convertidor de CC a CC tipo ROHM PWM para suministros de CA/CC, este CI proporciona un sistema óptimo para todos los productos que incluyen una toma de corriente eléctrica. Permite un diseño más sencillo de un convertidor de alta eficacia especializado en dispositivos no aislados. Este CI lleva incorporado un circuito de arranque que tolera 650 V y contribuye al bajo consumo. Con una resistencia de detección de corriente como dispositivo interno, se puede diseñar como fuente de alimentación pequeña.
Método del modo de corriente PWM
Función de salto de frecuencia
Funcionamiento en ráfaga con poca carga
Circuito de arranque de 650 V integrado
MOSFET de superunión de 650 v integrado
Función de limitador de sobreintensidad por ciclo
Función de arranque suave
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