MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMDQ75R008M1HXUMA1, VDSS 750 V, ID 173 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
349-329
Nº ref. fabric.:
IMDQ75R008M1HXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

173A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

PG-HDSOP-22

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

22

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

23 V

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

178nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET CoolSiC G1 de 750 V de Infineon se basa en la tecnología de carburo de silicio sólido de Infineon, desarrollada durante más de 20 años. Al aprovechar las características materiales del SiC de banda prohibida ancha, el MOSFET CoolSiC de 750 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Este MOSFET está diseñado para soportar altas temperaturas y duras condiciones de funcionamiento, por lo que es ideal para aplicaciones exigentes. Permite la implementación simplificada y rentable de sistemas de alta eficiencia, lo que satisface las necesidades cambiantes de la electrónica de la energía en entornos exigentes.

Tecnología de fijación de chip propiedad de Infineon

Paquete de refrigeración avanzada superior

Pin fuente de controlador disponible

Mayor robustez para soportar tensiones de bus superiores a 500 V

Eficacia superior en conmutación dura (hard-switching)

Mayor frecuencia de conmutación en topologías de conmutación suave

Robustez frente al encendido parásito en el control unipolar de puerta

La mejor disipación térmica de su categoría

Pérdidas de conmutación reducidas gracias a un mejor control de puerta

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