MOSFET, N-Canal Infineon IPDQ60T010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 174 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
351-942
Nº ref. fabric.:
IPDQ60T010S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

174A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPDQ60

Encapsulado

PG-HDSOP-22

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

22

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.022Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

820mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

694W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

318nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

15.5mm

Certificaciones y estándares

JEDEC

Longitud

15.1mm

Altura

2.35mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
Este CoolMOS S7T de Infineon con sensor de temperatura integrado aumenta la precisión y robustez de la detección de la temperatura de unión, a la vez que permite una fácil implementación. El dispositivo está optimizado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y alta corriente. Es ideal para relés de estado sólido, interruptores automáticos y rectificación de línea en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).

Pérdidas de conducción minimizadas

Mayor rendimiento del sistema

Permiten un diseño más compacto respecto a los EMR

Menor TCO durante un tiempo prolongado

Diseños con mayor densidad de potencia

Reducción de elementos sensores externos

Mejor utilización del transistor de potencia

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