MOSFET, N-Canal Infineon IPDQ60T010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 174 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- Código RS:
- 351-942
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60T010S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 10 más para ahorrar 24,30 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
24,37 €
(exc. IVA)
29,49 €
(inc.IVA)
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es) | Por unidad | Ahorro |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 24,37 € | - |
| 10 - 99 | 21,94 € | 24,30 € |
| 100 + | 20,23 € | 414,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-942
- Nº ref. fabric.:
- IPDQ60T010S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 174A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPDQ60 | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-22 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.022Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 318nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 820mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.35mm | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Anchura | 15.5mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 174A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPDQ60 | ||
Encapsulado PG-HDSOP-22 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.022Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 318nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 820mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.35mm | ||
Longitud 15.1mm | ||
Anchura 15.5mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolMOS S7T de Infineon con sensor de temperatura integrado aumenta la precisión y robustez de la detección de la temperatura de unión, a la vez que permite una fácil implementación. El dispositivo está optimizado para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia y alta corriente. Es ideal para relés de estado sólido, interruptores automáticos y rectificación de línea en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
Pérdidas de conducción minimizadas
Mayor rendimiento del sistema
Permiten un diseño más compacto respecto a los EMR
Menor TCO durante un tiempo prolongado
Diseños con mayor densidad de potencia
Reducción de elementos sensores externos
Mejor utilización del transistor de potencia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines