MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip VN2210N2, VDSS 90 V, ID 350 mA, Modo de mejora, TO-92-3
- Código RS:
- 598-655
- Nº ref. fabric.:
- VN2210N2
- Fabricante:
- Microchip
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- 598-655
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- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | FET DMOS vertical de canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 90V | |
| Encapsulado | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 4.19 mm | |
| Altura | 5.33mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal FET DMOS vertical de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 90V | ||
Encapsulado TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.08mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 4.19 mm | ||
Altura 5.33mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El transistor vertical de modo de mejora de canal N de Microchip utiliza una estructura de semiconductor de óxido metálico (DMOS) de doble difusión vertical junto con un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación garantiza que el dispositivo esté libre de fallos secundarios y funcione con un requisito de unidad de baja potencia, lo que lo convierte en eficiente y fiable para diversas aplicaciones.
Facilidad de paralelismo
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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