MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 60 V, ID 115 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 644-261P
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 644-261P
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 115mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 115mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
Microchip N-Channel es un transistor de bajo umbral de modo de mejora (normalmente desactivado) que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de manejo de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbordamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente.
Libre de averías secundarias
Requisitos de accionamiento de baja potencia
Facilidad de conexión en paralelo