MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
646-543P
Nº ref. fabric.:
RD3L03BBJHRBTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

RD3

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Anchura

6.8mm

Altura

2.3mm

Longitud

10.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de potencia de canal P de 60 voltios y 29 amperios de ROHM dispone de chapado sin plomo y cumple con la restricción de sustancias peligrosas. Está sometido al 100 % de prueba de avalancha.

Baja resistencia a la conexión

con cualificación AEC-Q101

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