MOSFET sencillos, N-Canal ROHM RD3L04BBLHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 646-545P
- Nº ref. fabric.:
- RD3L04BBLHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- 646-545P
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- RD3L04BBLHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | RD3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.8mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 10.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie RD3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.8mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 10.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de ROHM de canal P con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de potencia de 60 V y 40 A está chapado sin plomo y cumple la restricción de sustancias peligrosas. Está probado al cien por cien contra avalanchas.
Baja resistencia de conexión
Certificación AEC-Q101