MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RS7E200BGTB1, VDSS 30 V, ID 390 A, Mejora, DFN5060-8S de 8 pines

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Código RS:
646-623
Nº ref. fabric.:
RS7E200BGTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

390A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

RS7E200

Encapsulado

DFN5060-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.67mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

180W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

135nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Pb Free, Halogen Free, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM con resistencia de conexión baja y encapsulado de alta potencia adecuado para conmutación, accionamientos de motor y convertidor dc/dc.

Chapado sin Pd

Conforme a RoHS

Sin halógenos

100% Rg y UIS probado

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