MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM R4P030N03HZGT100, VDSS 30 V, Mejora, MPT3 de 3 pines

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Código RS:
646-552
Nº ref. fabric.:
R4P030N03HZGT100
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

MPT3

Serie

R4P

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.70 mm

Longitud

4.30mm

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de efecto de campo de óxido metálico de canal N de accionamiento de 4 voltios de ROHM tiene una resistencia de conexión baja y admite funcionamiento de accionamiento de 4 voltios.

Calificación AEC-Q101

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