MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM AG085FGD3HRBTL, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 646-620
- Nº ref. fabric.:
- AG085FGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tira de 5 unidades)*
6,13 €
(exc. IVA)
7,415 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,226 € | 6,13 € |
| 50 - 245 | 1,078 € | 5,39 € |
| 250 - 495 | 0,97 € | 4,85 € |
| 500 + | 0,766 € | 3,83 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 646-620
- Nº ref. fabric.:
- AG085FGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | AG085FG | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41.0nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie AG085FG | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41.0nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de grado de automoción de ROHM tiene la certificación AEC-Q101. Ideal para sistemas de automoción. Estos MOSFET están 100 por ciento probados en avalancha.
Resistencia de conexión baja
Chapado sin Pd
Conforme a RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V TO-252 (TL) de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Mejora, TO-252 de 3 pines
