MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM AG087FGD3HRBTL, VDSS -40 V, ID 40 A, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-378
- Nº ref. fabric.:
- AG087FGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-378
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- AG087FGD3HRBTL
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- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG087FGD3HRB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.0mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie AG087FGD3HRB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.0mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Longitud 10.50mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para aplicaciones industriales y de automoción. Este componente versátil funciona con una tensión máxima de drenaje-fuente de 40 V, lo que permite un control eficaz en los sistemas de gestión de energía. Fabricado con tecnología avanzada, cuenta con una baja resistencia en estado activo de 7,0 mΩ, que optimiza la eficiencia energética y el rendimiento térmico. Con certificación AEC-Q101, este MOSFET es fiable incluso en entornos de automoción rigurosos, lo que lo convierte en una buena elección para los ingenieros que buscan soluciones duraderas. Su robusta resistencia térmica y su diseño probado por avalancha garantizan una fiabilidad excepcional en condiciones de funcionamiento variadas, lo que consolida su condición de opción preferida para aplicaciones de alta corriente.
Corriente de drenaje continua nominal de ±40 A, que proporciona un rendimiento fiable en escenarios exigentes
Tensión de ruptura de 40 V que garantiza una sólida protección contra condiciones de sobretensión
Baja tensión de umbral de puerta de 1,0 V a 2,5 V que facilita un funcionamiento y control más suaves
Cumple la norma AEC Q101, lo que destaca su idoneidad para aplicaciones de automoción
Excepcional resistencia térmica de 2,80 °C/W, que mejora la disipación térmica y la vida útil
100 % probado contra avalanchas, lo que proporciona tranquilidad en entornos de alto estrés
Cuenta con un encapsulado DPAK, que optimiza el tamaño al tiempo que favorece una gestión térmica eficaz
Adecuado para diseños de alta eficiencia en automoción y otras aplicaciones de alta corriente
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