MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RD3L08DBKHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-465
- Nº ref. fabric.:
- RD3L08DBKHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBKHRB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 76W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.8 mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBKHRB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 76W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.8 mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 10.50mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- JP
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en aplicaciones exigentes, ofreciendo capacidades de conmutación fiables con una baja resistencia de conexión y una tensión de ruptura robusta. Diseñado para manejar hasta 80 A de corriente de drenaje continuo y con una tensión máxima de drenaje-fuente de 60 V, este componente garantiza eficacia y durabilidad. Es ideal para electrónica de automoción, iluminación y otros sistemas de gestión de energía, con chapado sin plomo y certificación AEC-Q101, por lo que cumple las normas industriales más recientes. Este MOSFET proporciona una combinación de rendimiento térmico y fiabilidad excepcionales, lo que lo convierte en una opción adecuada para los ingenieros que buscan optimizar sus diseños de circuitos.
La baja resistencia de encendido de 7,5 mΩ maximiza la eficiencia de potencia
La certificación AEC Q101 garantiza una alta fiabilidad en aplicaciones de automoción
Supera al 100 % las pruebas de avalancha para una mayor durabilidad
Capaz de manejar corriente de drenaje continua de hasta 80 A
La tensión nominal de drenaje-fuente máxima de 60 V proporciona una sobrecarga considerable
El chapado sin plomo cumple la directiva RoHS, lo que promueve la responsabilidad medioambiental
El empaquetado versátil garantiza la compatibilidad con varios diseños de aplicación
Ideal para su uso en ADAS, sistemas de información y aplicaciones de control de carrocería
Tiene características de carga de puerta baja para tiempos de conmutación más rápidos
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