MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM AG191FLD3HRBTL, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-454
- Nº ref. fabric.:
- AG191FLD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-454
- Nº ref. fabric.:
- AG191FLD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | AG191FLD3HRB | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 76W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie AG191FLD3HRB | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 76W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Longitud 10.50mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, proporcionando una eficiencia excepcional con una tensión máxima de drenaje-fuente de 60 V y una corriente de drenaje continua de 80 A. Diseñado para sistemas de automoción exigentes, este dispositivo presenta una baja resistencia de conexión, lo que garantiza una pérdida de potencia reducida y una gestión térmica mejorada. Su robusta estructura incluye la certificación AEC-Q101, lo que lo hace adecuado para su uso en entornos de automoción rigurosos. Con una capacidad de resistencia térmica multidimensional, este MOSFET gestiona eficazmente el estrés térmico, garantizando la fiabilidad en condiciones operativas variables. Ideal para ingenieros que buscan un componente fiable en aplicaciones de alta eficiencia, el AG191FLD3HRB destaca por su rendimiento e integridad operativa.
La baja resistencia de encendido ofrece una mayor eficiencia y reduce la generación de calor
El chapado sin plomo cumple las normas RoHS de seguridad medioambiental
Las pruebas de avalancha al 100 % garantizan un rendimiento fiable bajo tensión
Certificación AEC Q101, que garantiza el cumplimiento de las normas de la industria del automóvil
Admite un amplio rango de temperaturas de funcionamiento y almacenamiento de -55 °C a 175 °C
Especificaciones de embalaje flexibles con formato de cinta y carrete para mayor comodidad de montaje
La resistencia térmica integrada minimiza los problemas térmicos durante el funcionamiento
Se suministra con características de carga de puerta precisas para un rendimiento de conmutación óptimo
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