MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E07BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-470
- Nº ref. fabric.:
- RD3E07BBJHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-470
- Nº ref. fabric.:
- RD3E07BBJHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | RD3E07BBJHRB | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 77W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Anchura | 6.8 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie RD3E07BBJHRB | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 77W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 10.50mm | ||
Anchura 6.8 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal P de ROHM está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en aplicaciones exigentes. Con una corriente de drenaje continua máxima de ±78 A y una tensión de ruptura de -30 V, este MOSFET es ideal para usar en entornos industriales y de automoción que requieren una eficiencia robusta. Su compacto encapsulado DPAK permite una fácil integración en diversos diseños, mientras que su baja resistencia de conexión de 8,5 mΩ reduce significativamente la pérdida de energía. El producto también cuenta con la certificación AEC-Q101, que garantiza su fiabilidad en condiciones duras, lo que lo convierte en la opción perfecta para los diseñadores que buscan componentes de alta calidad y duraderos para sus aplicaciones electrónicas.
Presenta una baja resistencia de encendido para mejorar la eficiencia y reducir la generación de calor
Ofrece una disipación de potencia máxima de 77 W para aplicaciones de alta potencia
Diseñado para soportar un amplio rango de temperaturas de funcionamiento de –55 a +175 °C
Certificación AEC Q101, que garantiza una alta fiabilidad para aplicaciones de automoción
Proporciona pruebas de avalancha al 100 % para una mayor durabilidad bajo tensión
Cumple las normas sin plomo y RoHS para un uso respetuoso con el medio ambiente
Empaquetado en formato DPAK para facilitar el montaje y la integración
Admite una capacidad de corriente de drenaje pulsado de ±156 A para condiciones de carga dinámica.
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