MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG501EGD3HRBTL, VDSS -40 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-359
- Nº ref. fabric.:
- AG501EGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,74 € | 3,48 € |
| 20 - 48 | 1,53 € | 3,06 € |
| 50 - 198 | 1,375 € | 2,75 € |
| 200 - 998 | 1,11 € | 2,22 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 687-359
- Nº ref. fabric.:
- AG501EGD3HRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Serie | AG501EGD3HRB | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 142W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Anchura | 6.80 mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Serie AG501EGD3HRB | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 142W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.50mm | ||
Anchura 6.80 mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal P de ROHM está diseñado para una gestión eficiente de la energía en sistemas de automoción y diversas aplicaciones. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de -40 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de hasta -80 A, este robusto dispositivo ofrece una fiabilidad excepcional en condiciones de funcionamiento exigentes. Con una baja resistencia de conexión de solo 4,9 mΩ, garantiza una pérdida de energía mínima, lo que contribuye a mejorar la eficiencia general del sistema y el rendimiento térmico. Este MOSFET también cuenta con la certificación AEC-Q101, lo que destaca su idoneidad para aplicaciones de automoción en las que deben cumplirse normas estrictas.
Ofrece baja resistencia de conexión para reducir la pérdida de potencia y mejorar la eficiencia
Certificación AEC Q101, que garantiza la fiabilidad para aplicaciones de automoción y críticas
Probado en avalancha para garantizar el rendimiento en condiciones dinámicas
Admite una disipación de potencia máxima de 142 W, compatible con diseños de alto rendimiento
Amplio rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a 175 °C, lo que permite su uso en diversos entornos
Chapado sin plomo y conforme a RoHS, cumple las normas ambientales modernas
Especificaciones de embalaje optimizadas, incluidas opciones de integración para montaje automatizado
Proporciona una clasificación de energía de avalancha garantizada, lo que garantiza un funcionamiento robusto durante eventos transitorios
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