MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3E08BBJHRBTL, VDSS -30 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-362
- Nº ref. fabric.:
- RD3E08BBJHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-362
- Nº ref. fabric.:
- RD3E08BBJHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3E08BBJHRB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 142W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 5 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.8 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie RD3E08BBJHRB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 142W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 5 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.50mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.8 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para aplicaciones exigentes que requieren baja resistencia de conexión y alta capacidad de manejo de corriente. Este robusto dispositivo funciona con una tensión máxima de drenaje-fuente de –30 V y una corriente de drenaje continua de ±80 A, lo que garantiza un rendimiento eficaz en los sistemas de gestión de energía. Su innovadora estructura incluye una resistencia térmica de solo 1,05 °C/W, que optimiza la fiabilidad y facilita una disipación térmica eficaz. Con la certificación AEC-Q101, este MOSFET es adecuado para aplicaciones de automoción, prospera en entornos propensos a variaciones extremas de temperatura y garantiza un funcionamiento fiable en condiciones difíciles.
Ofrece una baja resistencia de conexión de 3,7 mΩ, lo que mejora la eficiencia y minimiza la pérdida de energía
Capacidad de corriente de drenaje pulsado de ±160 A, para aplicaciones de alta demanda
Los valores nominales de tensión de fuente de puerta de +5/-20 V garantizan un funcionamiento versátil y un control robusto
Montable en un encapsulado DPAK para una gestión térmica eficiente y un tamaño compacto
Probado en avalancha para mejorar la fiabilidad en entornos eléctricos de alta tensión
Cuenta con la certificación AEC Q101, por lo que es ideal para aplicaciones de automoción críticas para la seguridad.
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