MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3P08BBLHRBTL, VDSS 100 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-355
- Nº ref. fabric.:
- RD3P08BBLHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 142W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.5mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Anchura | 6.8mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 142W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.5mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Anchura 6.8mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para aplicaciones robustas que requieren una conmutación eficiente. Con una tensión nominal máxima de 100 V y una corriente de drenaje continua de 80 A, este componente proporciona una gestión fiable de la energía. Su baja resistencia de conexión de solo 6,2 mΩ garantiza una pérdida de energía mínima durante el funcionamiento, lo que es fundamental para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación. Compatible con una amplia gama de aplicaciones de corriente conmutada, este MOSFET cuenta con la certificación AEC-Q101, lo que lo hace adecuado para entornos de automoción. Su compacto encapsulado DPAK permite mejorar el rendimiento térmico en espacios reducidos.
La baja resistencia de encendido mejora la eficiencia energética, lo que reduce la generación de calor
La tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V admite diversas aplicaciones de alta tensión
La corriente de drenaje continua de 80 A permite un rendimiento fiable bajo cargas pesadas
Certificación AEC Q101, que garantiza una alta fiabilidad para aplicaciones de automoción
El encapsulado compacto TO-252 facilita una mejor gestión térmica y diseños que ahorran espacio
La robusta capacidad de avalancha garantiza la seguridad durante las condiciones transitorias
La alta disipación de potencia de 142 W se adapta a las necesidades operativas más exigentes
Chapado sin plomo y conforme a RoHS, en línea con las prácticas respetuosas con el medio ambiente
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