MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3P08BBLHRBTL, VDSS 100 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-355
- Nº ref. fabric.:
- RD3P08BBLHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-355
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- RD3P08BBLHRBTL
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- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 142W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 142W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS | ||
Longitud 10.50mm | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para aplicaciones robustas que requieren una conmutación eficiente. Con una tensión nominal máxima de 100 V y una corriente de drenaje continua de 80 A, este componente proporciona una gestión fiable de la energía. Su baja resistencia de conexión de solo 6,2 mΩ garantiza una pérdida de energía mínima durante el funcionamiento, lo que es fundamental para mejorar la eficiencia de las fuentes de alimentación. Compatible con una amplia gama de aplicaciones de corriente conmutada, este MOSFET cuenta con la certificación AEC-Q101, lo que lo hace adecuado para entornos de automoción. Su compacto encapsulado DPAK permite mejorar el rendimiento térmico en espacios reducidos.
La baja resistencia de encendido mejora la eficiencia energética, lo que reduce la generación de calor
La tensión nominal de drenaje-fuente de 100 V admite diversas aplicaciones de alta tensión
La corriente de drenaje continua de 80 A permite un rendimiento fiable bajo cargas pesadas
Certificación AEC Q101, que garantiza una alta fiabilidad para aplicaciones de automoción
El encapsulado compacto TO-252 facilita una mejor gestión térmica y diseños que ahorran espacio
La robusta capacidad de avalancha garantiza la seguridad durante las condiciones transitorias
La alta disipación de potencia de 142 W se adapta a las necesidades operativas más exigentes
Chapado sin plomo y conforme a RoHS, en línea con las prácticas respetuosas con el medio ambiente
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