MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RD3L08CBLHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 (TL) de 3 pines
- Código RS:
- 687-440
- Nº ref. fabric.:
- RD3L08CBLHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-440
- Nº ref. fabric.:
- RD3L08CBLHRBTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | RD3L08CBLHRB | |
| Encapsulado | TO-252 (TL) | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, AEC-Q101 | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 10.50mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie RD3L08CBLHRB | ||
Encapsulado TO-252 (TL) | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, AEC-Q101 | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 10.50mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para aplicaciones exigentes y ofrece una excelente eficiencia y fiabilidad. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de 60 V y una corriente de drenaje continua de 80 A, este dispositivo es ideal para tareas de conmutación y amplificación en automoción y electrónica de consumo. Su baja resistencia de encendido de solo 5,3 mΩ maximiza la eficiencia de potencia, mientras que su robusta estructura garantiza que resista entornos operativos exigentes, cumple la certificación AEC-Q101 y proporciona pruebas de avalancha al 100 % para mayor seguridad. Este MOSFET representa una potente solución para circuitos avanzados, que combina rendimiento con estrictas normas de cumplimiento.
La baja resistencia de encendido de 5,3 mΩ mejora significativamente la eficiencia energética
Admite corriente de drenaje continua de hasta 80 A para un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes
100 % probado para avalancha para garantizar la estabilidad y fiabilidad durante el funcionamiento
Certificación AEC Q101, por lo que es adecuado para aplicaciones de automoción
El amplio rango de temperaturas de funcionamiento de la unión, de –55 a +175 °C, garantiza un rendimiento fiable en diversas condiciones
La resistencia térmica integrada de la caja de conexiones optimiza la capacidad de manejo de potencia
Sin plomo y conforme a RoHS, en línea con las normas ambientales modernas.
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