MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG502EGD3HRBTL, VDSS -40 V, ID 68 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
646-617
Nº ref. fabric.:
AG502EGD3HRBTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Serie

AG502EG

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

77W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48.0nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de grado de automoción de ROHM tiene la certificación AEC-Q101. Ideal para sistemas de automoción. Estos MOSFET están 100 por ciento probados en avalancha.

Resistencia de conexión baja

Chapado sin Pd

Conforme a RoHS

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