MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM RD3L03BBJHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 10 unidades)*

7,34 €

(exc. IVA)

8,88 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 90 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
10 - 900,734 €7,34 €
100 - 4900,647 €6,47 €
500 - 9900,58 €5,80 €
1000 +0,458 €4,58 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
646-543
Nº ref. fabric.:
RD3L03BBJHRBTL
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

RD3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

55mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Longitud

10.50mm

Anchura

6.8 mm

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de potencia de canal P de 60 voltios y 29 amperios de ROHM dispone de chapado sin plomo y cumple con la restricción de sustancias peligrosas. Está sometido al 100 % de prueba de avalancha.

Baja resistencia a la conexión

con cualificación AEC-Q101

Enlaces relacionados