MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RD3P04BBKHRBTL, VDSS 100 V, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
646-544
Nº ref. fabric.:
RD3P04BBKHRBTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

RD3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.50mm

Anchura

6.8 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, AEC-Q101

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de ROHM de canal P con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de potencia de 100 V y 36 A está chapado sin plomo y cumple la restricción de sustancias peligrosas. Está probado al cien por cien contra avalanchas.

Baja resistencia de conexión

Certificación AEC-Q101

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