MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RD3L04BBLHRBTL, VDSS 60 V, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
646-545
Nº ref. fabric.:
RD3L04BBLHRBTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

RD3

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, RoHS

Longitud

10.50mm

Anchura

6.8 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de ROHM de canal P con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de potencia de 60 V y 40 A está chapado sin plomo y cumple la restricción de sustancias peligrosas. Está probado al cien por cien contra avalanchas.

Baja resistencia de conexión

Certificación AEC-Q101

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