MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RQ5G060BGTCL, VDSS 40 V, Mejora, TSMT-3 de 3 pines
- Código RS:
- 646-556
- Nº ref. fabric.:
- RQ5G060BGTCL
- Fabricante:
- ROHM
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,279 € | 2,79 € |
| 100 - 240 | 0,246 € | 2,46 € |
| 250 - 990 | 0,221 € | 2,21 € |
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- Código RS:
- 646-556
- Nº ref. fabric.:
- RQ5G060BGTCL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | RQ5 | |
| Encapsulado | TSMT-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.0W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 3 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie RQ5 | ||
Encapsulado TSMT-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.0W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 3 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de ROHM de canal N con efecto de campo semiconductor de óxido metálico de 40 V y 6 A de potencia tiene una baja resistencia de encendido, un pequeño encapsulado de montaje superficial tipo TSMT3, un chapado sin plomo y cumple la restricción de sustancias peligrosas.
Sin halógenos
Rg 100 % y probado para UIS