MOSFET, N-Canal ROHM RUR020N02TL, VDSS 20 V, ID 2 A, Mejora, TSMT de 3 pines

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Código RS:
124-6841
Nº ref. fabric.:
RUR020N02TL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

TSMT

Serie

RUR020N02

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

240mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10V, +10V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3mm

Altura

950μm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.8mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


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