MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ7L055BGTCR, VDSS 40 V, ID 10.7 A, Mejora, TSMT-8

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Código RS:
246-3955
Nº ref. fabric.:
RQ7L055BGTCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TSMT-8

Serie

RQ7L055BG

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N ROHM está disponible en un encapsulado pequeño de montaje superficial y se puede utilizar en aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8)

Chapado sin plomo

En conformidad con RoHS

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