MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ7L055BGTCR, VDSS 40 V, ID 10.7 A, Mejora, TSMT-8
- Código RS:
- 246-3955
- Nº ref. fabric.:
- RQ7L055BGTCR
- Fabricante:
- ROHM
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- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Serie | RQ7L055BG | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Serie RQ7L055BG | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N ROHM está disponible en un encapsulado pequeño de montaje superficial y se puede utilizar en aplicaciones de conmutación.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8)
Chapado sin plomo
En conformidad con RoHS