MOSFET, Tipo N-Canal ROHM QH8KB6TCR, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 235-2666
- Nº ref. fabric.:
- QH8KB6TCR
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
6,02 €
(exc. IVA)
7,28 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 23 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,602 € | 6,02 € |
| 50 - 90 | 0,589 € | 5,89 € |
| 100 - 240 | 0,478 € | 4,78 € |
| 250 - 990 | 0,462 € | 4,62 € |
| 1000 + | 0,454 € | 4,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-2666
- Nº ref. fabric.:
- QH8KB6TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Serie | QH8KB6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Anchura | 0.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Serie QH8KB6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.1mm | ||
Anchura 0.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N doble ROHM compatible con tensión no disruptiva de 40V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Este producto consta de un MOSFET de canal N de resistencia de conexión baja que se reduce un 58 %. Esto contribuye al bajo consumo de potencia de varios dispositivos.
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS
Sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, TSMT-8
- MOSFET Tipo P-Canal ROHM ID 7 A TSMT de 8 pines