MOSFET ROHM QH8KB6TCR, VDSS 40 V, ID 8 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos

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Código RS:
235-2665
Nº ref. fabric.:
QH8KB6TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

TSMT-8

Serie

QH8KB6

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,0177 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Número de Elementos por Chip

2

MOSFET de canal N doble ROHM compatible con tensión no disruptiva de 40V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Este producto consta de un MOSFET de canal N de resistencia de conexión baja que se reduce un 58 %. Esto contribuye al bajo consumo de potencia de varios dispositivos.

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

Sin halógenos

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