MOSFET, N-Canal ROHM QH8KB5TCR, VDSS 40 V, ID 4.5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines

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Código RS:
235-2663
Nº ref. fabric.:
QH8KB5TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

40 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

4.5 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

TSMT-8

Número de pines

8

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Altura

2.9 mm

Longitud

3.1 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

44 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

1.1 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

QH8KB5

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

3.5 nC

Anchura

850 μm

The ROHM dual N channel MOSFET which supports 40V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen Free

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