MOSFET ROHM, Tipo N-Canal QH8KE5TCR, VDSS 100 V, TSMT-8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-562
- Nº ref. fabric.:
- QH8KE5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 25 unidades)*
8,45 €
(exc. IVA)
10,225 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2975 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,338 € | 8,45 € |
| 100 - 225 | 0,322 € | 8,05 € |
| 250 - 475 | 0,298 € | 7,45 € |
| 500 - 975 | 0,274 € | 6,85 € |
| 1000 + | 0,264 € | 6,60 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-562
- Nº ref. fabric.:
- QH8KE5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | QH8 | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 202mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie QH8 | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 202mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de doble canal N de 100 V y 2,0 A de ROHM en un encapsulado TSMT8 está diseñado para aplicaciones de accionamiento de motores y fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia.
Baja resistencia
Embalaje pequeño de montaje en superficie TSMT8
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V N, TSMT-8
- MOSFET ROHM Tipo P-Canal QS8M51HZGTR TSMT-8 2