MOSFET, Tipo N-Canal ROHM QH8KC6TCR, VDSS 60 V, ID 5.5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

6,34 €

(exc. IVA)

7,67 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 20 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 400,634 €6,34 €
50 - 900,62 €6,20 €
100 - 2400,503 €5,03 €
250 - 9900,487 €4,87 €
1000 +0,479 €4,79 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
235-2670
Nº ref. fabric.:
QH8KC6TCR
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSMT-8

Serie

QH8KC6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.1mm

Altura

2.9mm

Anchura

0.85 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble ROHM compatible con tensión no disruptiva de 60V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Este producto consta de un MOSFET de canal N de resistencia de conexión baja que se reduce un 58 %. Esto contribuye al bajo consumo de potencia de varios dispositivos.

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

Sin halógenos

Enlaces relacionados