MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ1E050RPHZGTR, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-430
Nº ref. fabric.:
RQ1E050RPHZGTR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

RQ1

Encapsulado

TSMT-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de pequeña señal de ROHM para aplicaciones de conmutación y es un producto de alta fiabilidad de grado automotriz calificado según AEC-Q101.

Baja resistencia

Diodo de protección G-S integrado

Encapsulado pequeño de montaje en superficie TSMT8

Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS

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