MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines

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Código RS:
235-2673
Nº ref. fabric.:
QH8MC5TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSMT-8

Serie

QH8MC5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

91mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.9mm

Anchura

0.85 mm

Longitud

3.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N y P doble ROHM admite tensión no disruptiva de 60V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Al combinar el canal N + canal P óptimo, se reducen los esfuerzos de diseño. También contribuye a reducir el consumo de energía de los equipos.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

Sin halógenos

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