MOSFET ROHM QH8MC5TCR, VDSS 60 V, ID 3 A, 3,5 A, TSMT-8 de 8 pines, 2elementos

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Código RS:
235-2673
Nº ref. fabric.:
QH8MC5TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A, 3,5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TSMT-8

Serie

QH8MC5

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,09 (canal N) O, 0,091 (canal P) O

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Número de Elementos por Chip

2

El MOSFET de canal N y P doble ROHM admite tensión no disruptiva de 60V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Al combinar el canal N + canal P óptimo, se reducen los esfuerzos de diseño. También contribuye a reducir el consumo de energía de los equipos.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

Sin halógenos

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