MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 223-6207
- Nº ref. fabric.:
- QH8JC5TCR
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 223-6207
- Nº ref. fabric.:
- QH8JC5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.91Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.85mm | |
| Anchura | 2.8 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.91Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.85mm | ||
Anchura 2.8 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM tiene un tipo de encapsulado TO-3PF. Se utiliza principalmente para conmutación.
Tiempo de recuperación inversa rápido (trr)
Baja resistencia
Velocidad de conmutación rápida
Circuitos de accionamiento sencillos
Chapado sin plomo, conforme con RoHS
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