MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.626,00 €

(exc. IVA)

1.968,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,542 €1.626,00 €

*precio indicativo

Código RS:
223-6206
Nº ref. fabric.:
QH8JC5TCR
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.91Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.85mm

Anchura

2.8 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM tiene un tipo de encapsulado TO-3PF. Se utiliza principalmente para conmutación.

Tiempo de recuperación inversa rápido (trr)

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Circuitos de accionamiento sencillos

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

Enlaces relacionados