Nº ref. fabric.

MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 223-6206
Nº ref. fabric.:: QH8JC5TCR
Fabricante:: ROHM

MOSFET ROHM, Tipo P-Canal QH8JC5TCR, VDSS 60 V, ID 3.5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.626,00 €

(exc. IVA)

1.968,00 €

(inc.IVA)

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Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,542 €	1.626,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 223-6206
Nº ref. fabric.:: QH8JC5TCR
Fabricante:: ROHM

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TSMT
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.91Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17.3nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Altura	0.85mm
	Longitud	3.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	2.8mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TSMT
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.91Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Altura 0.85mm
	Longitud 3.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 2.8mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - QH8JC5TCR

El MOSFET de potencia ROHM tiene un tipo de encapsulado TO-3PF. Se utiliza principalmente para conmutación.

Tiempo de recuperación inversa rápido (trr)

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Circuitos de accionamiento sencillos

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

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