MOSFET, Tipo N-Canal ROHM QH8KC6TCR, VDSS 60 V, ID 5.5 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines

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Código RS:
235-2669
Nº ref. fabric.:
QH8KC6TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

QH8KC6

Encapsulado

TSMT-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

0.85 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.1mm

Altura

2.9mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N doble ROHM compatible con tensión no disruptiva de 60V V. Se ha diseñado para equipos de entrada 24V como equipos de automatización de fábricas y motores montados en estaciones base. Este producto consta de un MOSFET de canal N de resistencia de conexión baja que se reduce un 58 %. Esto contribuye al bajo consumo de potencia de varios dispositivos.

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

Sin halógenos

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